Bütün kateqoriyalar

IGBT Modulu 1200V

IGBT Modulu 1200V

baş səhifə /  Məhsullar /  IGBT ماژول /  IGBT Modulu 1200V

GD200HFQ120C2SD,IGBT Modulu,STARPOWER

1200V 200A, Paket:C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200HFQ120C2SD
  • Tanışdırma
  • Kontur
  • Ekvivalent Dairə Şeması
Tanışdırma

Qısa giriş

IGBT ماژول ,istehsal edən STARPOWER . 1200V 200A.

Xüsusiyyətlər

  • آز VCE (sat) Trench IGBT تکنولوژی
  • 10μs قیسا دایره قابیلیتی
  • VCE ((sat) + درجه حرارت کوفیسئتی
  • Maksimum qoşma temperaturu 175 °C
  • آز ایندوکتانسلی قاب
  • سرعتلی و نرم رئورس ریکوری (FWD)
  • DBC تکنولوژئسی ایله ایزولاسیون ائدیلن بورونج اساس صفحه

تطبيقات نموذجي

  • ایستیقلال حالتین ده برق منبع سی
  • ایندوکسیو گرمی
  • ایلیکترونیک ولدر

مطلق maksimum درجه بندي T F =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

IGBT

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 O C @ T C =100 O C

324

200

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms

400

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق vj =175 O C

1181

W

دیود

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V RRM

تکرارلانان اوجون رئورس ولت یاش

1200

V

I F

دیود دواملی ایلک Cu اجاره

200

A

I Fm

Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms

400

A

Modul

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

T vjmax

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

O C

T vjop

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

O C

T STG

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40 تا +125

O C

V ISO

İzolyasiya Voltajı RMS, f=50Hz,t =1 دقیقه

2500

V

IGBT Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه شورولوش ولتاژ

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T vj =125 O C

2.25

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T vj =150 O C

2.35

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =8.00 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T vj =25 O C

1.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T vj =25 O C

400

NA

R گئنت

داخلي قاپي مقاومتي آلانس

3.8

Ω

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V,f=1Mhz, V ژئروژنیک =0V

21.6

nF

C res

گئری یوللانما ظرفیت

0.59

nF

Q g

قاپی باج

V ژئروژنیک =-15...+15V

1.68

μC

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =4.7Ω، L s =45 nH , V ژئروژنیک =±15V،T vj =25 O C

100

ns

T R

یوکسلیش واختی

72

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

303

ns

T F

پاييز زاماني

71

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

26.0

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

6.11

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =4.7Ω، L s =45 nH , V ژئروژنیک =±15V،T vj =125 O C

99

ns

T R

یوکسلیش واختی

76

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

325

ns

T F

پاييز زاماني

130

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

33.5

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

8.58

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =4.7Ω، L s =45 nH , V ژئروژنیک =±15V،T vj =150 O C

98

ns

T R

یوکسلیش واختی

80

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

345

ns

T F

پاييز زاماني

121

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

36.2

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

9.05

mJ

I SC

SC Data (داتا)

T p ≤10μs V ژئروژنیک =15V،

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

750

A

دیود Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V F

دیود جلو Gərginlik

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T vj =150 O C

1.95

Q R

یئنی دن یارانمیش Şarj

V R =600V،I F =200A,

-di⁄dt=1890A⁄μs,V ژئروژنیک =-15V، L s =45 nH ,T vj =25 O C

19.4

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

96

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

5.66

mJ

Q R

یئنی دن یارانمیش Şarj

V R =600V،I F =200A,

-di⁄dt=1680A⁄μs,V ژئروژنیک =-15V، L s =45 nH ,T vj =125 O C

29.5

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

106

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

8.56

mJ

Q R

یئنی دن یارانمیش Şarj

V R =600V،I F =200A,

-di⁄dt=1600A⁄μs,V ژئروژنیک =-15V، L s =45 nH ,T vj =150 O C

32.2

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

107

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

9.24

mJ

Modul Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

20

nH

R CC+EE

Modul Başlanğıc Müqaviməti, Terminaldan Çipə

0.35

R thJC

گئچمه -üçün -vəza (perIGBT ) گئچمه (د) یود)

0.127 0.163

K/W

R thCH

قاب-تا-تزنج (هر IGBT) Kasa-İstilik Sinkinə (hər Diod üçün) Kasa-İstilik Sinkinə (hər M بوغاز)

0.036 0.046 0.010

K/W

m

ترمینال اتصال تورک مچرو M6 تورک مونتاژ مچرو M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

g

Çəki of Modul

300

g

Kontur

Ekvivalent Dairə Şeması

Pulsuz qiymət al

Tərəfdaşımız qısa vaxtda sizlə əlaqə yaradacaq.
Email
Name
Şirkət Adı
Mesaj
0/1000

Əlaqəli məhsul

هئچ بیر محصول حاقّیندا سوروشوموز وار؟

Peşəkar satış qrupumuz sizin məsləhətləşmənizi gözləyir.
محصول لاری نین لیستینی ایزله یه بیلرسینیز و سئودینیز هر سوالی سوروشا بیلرسینیز.

Qiymət al

Pulsuz qiymət al

Tərəfdaşımız qısa vaxtda sizlə əlaqə yaradacaq.
Email
Name
Şirkət Adı
Mesaj
0/1000