IGBT Modulu 1200V

سیمبول

Təsvir

GD200HFL120C2S

Birliklər

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

± 20

V

I C

Kolektor Cari @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

360

A

200

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms

400

A

I F

دیود دایم ایلک جریان

200

A

I Fm

دیودین ان چوخ قاباقکی قیر اجاره

400

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق J = 175°C

1364

W

T J

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

°C

T جوپ

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

°C

T STG

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40 تا +125

°C

V ISO

عایق لیک ولتاژ RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

مونتاژ تورک

د پاور ترمینال پیچ:M6

2.5 تا 5.0

N.M

Quraşdırma پیچ:M6

3.0-dan 5.0

N.M

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V (BR )CES

جمع ائدن-صادر ائدن

Bozulma Cihaz Gerilməsi

T J =25 °C

1200

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T J =25 °C

5.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک

Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T J =25 °C

400

NA

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی

Gərginlik

I C =8.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T J =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =25 °C

1.90

2.35

V

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J = 125°C

2.10

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =5.1Ω,V ژئروژنیک = ± 15 V, T J =25 °C

437

ns

T R

یوکسلیش واختی

75

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

436

ns

T F

پاييز زاماني

165

ns

E açıq

Açma keçid

Itirki

10.0

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

15.0

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =5.1Ω,V ژئروژنیک = ± 15 ولت T J = 125°C

445

ns

T R

یوکسلیش واختی

96

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

488

ns

T F

پاييز زاماني

258

ns

E açıq

Açma keçid

Itirki

15.9

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

22.3

mJ

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V,f=1Mhz,

V ژئروژنیک =0V

14.9

nF

C اوْ

خروجی ظرفیت

1.04

nF

C res

گئری یوللانما

ظرفیت

0.68

nF

I SC

SC Data (داتا)

T s C ≤ 10μs، V ژئروژنیک =15V، T J =125 °C ,V CC =900V، V CEM ≤ 1200V

1200

A

R گئنت

Daxili Gate Resis tansı

1.0

Ω

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

20

nH

R CC + EE ’

Modul Başlıq Resistan ce, ترمینال چیپ

T C =25 °C

0.35

m Ω

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F =200A

T J =25 °C

1.82

2.25

V

T J = 125°C

1.95

Q R

آلدیغی باج

I F =200A,

V R =600 V,

di⁄dt=-2370A⁄μs, V ژئروژنیک =- 15 ولت

T J =25 °C

16.6

μC

T J = 125°C

29.2

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

T J =25 °C

156

A

T J = 125°C

210

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

T J =25 °C

9.3

mJ

T J = 125°C

16.0

سیمبول

Parametr

تایپ.

Maks.

Birliklər

R θ JC

گئنيشليک (هچ بير IG) BT)

0.11

K/W

R θ JC

گئنیشلیک (دَییشدیر) اوْد)

0.14

K/W

R θ CS

قاب-تا-سینک (Conductive grease a (بيلنمه لي)

0.035

K/W

Çəki

Çəki of Modul

300

g