IGBT Modulu 1200V

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 O C

@ T C =85 O C

294

200

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms

400

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق J =175 O C

1056

W

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

V RRM

تکرارلانان اوجون قارشی لیق ولتاژ

1200

V

I F

دیود دواملی ایلک قیر اجاره

200

A

I Fm

Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms

400

A

سیمبول

Təsvir

Qiymət

Birlik

T jmax

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

O C

T جوپ

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

O C

T STG

yaddaş temperaturu Məsafə

-40 تا +125

O C

V ISO

İzolyasiya Gərginliyi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =25 O C

1.90

2.35

V

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J = 125O C

2.40

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =150 O C

2.55

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =5.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T J =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای

Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V،

T J =25 O C

1.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T J =25 O C

100

NA

R گئنت

داخلي قاپي مقاومتي آلانس

3.75

Ω

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =0.75Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J =25 O C

374

ns

T R

یوکسلیش واختی

50

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

326

ns

T F

پاييز زاماني

204

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

13.8

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

10.4

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =0.75Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 125O C

419

ns

T R

یوکسلیش واختی

63

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

383

ns

T F

پاييز زاماني

218

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

20.8

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

11.9

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =0.75Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 150O C

419

ns

T R

یوکسلیش واختی

65

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

388

ns

T F

پاييز زاماني

222

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

22.9

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

11.9

mJ

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T J =25 O C

1.90

2.35

V

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T J = 125O C

1.90

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T J = 150O C

1.90

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J =25 O C

10.2

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

90

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

3.40

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J = 125O C

26.2

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

132

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

9.75

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J = 150O C

30.4

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

142

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

11.3

mJ

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

26

nH

R CC+EE

ماژول رهبري مقاومت ترمینال چیپ

0.62

mΩ

R thJC

گئنیشلیک (IGB) T)

گئچمه (د) یود)

0.142

0.202

K/W

R thCH

قاب-تا-تزنج (هر IGBT)

ایشاره-دَییشدیر: دیود)

Kasa-İstilik Sinkinə (hər M بوغاز)

0.157

0.223

0.046

K/W

m

ترمینال اتصال تورک مچرو M5 تورک مونتاژ مچرو M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Çəki of Modul

200

g