GD200HFF120C8S, IGBT Modulu, STARPOWER

Tanışdırma

Qısa giriş

IGBT ماژول ,sTARPOWER tərəfindən istehsal edilib. 1200V 200A.

Xüsusiyyətlər

آز VCE (sat) Trench IGBT تکنولوژی
VCE ((sat) + درجه حرارت کوفیسئتی
Aşağı keçid itkiləri
اوْلان یئرین ان چوخ تئمپراتورو 175oC دیر.
آز ایندوکتانسلی قاب
سرعتلی و نرم رئورس ریکوری (FWD)
DBC تکنولوژئسی ایله ایزولاسیون ائدیلن بورونج اساس صفحه

تطبيقات نموذجي

ایستیقلال حالتین ده برق منبع سی
ایندوکسیو گرمی
ایلیکترونیک ولدر

مطلق Maksimum درجه بندي T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş

IGBT

سیمبول	Təsvir	Qiymət	Vahid
V CES	کلکتور-ایمیتر ولتاژ	1200	V
V GES	گئچمه-پریشان ولتاژ	±20	V
I C	Kolektor Cari @ T C =25 o C @ T C =85 o C	294 200	A
I SM	İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms	400	A
P D	اعظمي گوٴرچولوق j =175 o C	1056	W

دیود

سیمبول	Təsvir	Qiymət	Vahid
V RRM	تکرارلانان اوجون قارشی لیق ولتاژ	1200	V
I F	دیود دواملی ایلک قیر اجاره	200	A
I Fm	Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms	400	A

Modul

سیمبول	Təsvir	Qiymət	Vahid
T jmax	اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی	175	o C
T جوپ	یئرین ایشله مه درجه سی	-40 تا +150	o C
T STG	Saxlama temperaturu Məsafə	-40 تا +125	o C
V ISO	İzolyasiya Gərginliyi RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Xarakteristikalar T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول	Parametr	یازیقلار	Min.	تایپ.	Maks.	Vahid
V CE ((sat)	جمع ائدن دن صادر ائدنه شورولوش ولتاژ	I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T j =25 o C		1.90	2.35	V
		I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T j = 125o C		2.40
		I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T j =150 o C		2.55
V ژئروژنیک (th )	گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik	I C =5.0 ma ,V CE = V ژئروژنیک , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
I CES	کلکسیونر کس -آفلای Cürrent	V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T j =25 o C			1.0	ma
I GES	گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent	V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T j =25 o C			100	nA
R گئنت	داخلي قاپي مقاومتي آلانس			3.75		ω
t d (açıq )	تورن-توقتیش واختی	V CC =600V،I C =200A, R G =0.75Ω,V ژئروژنیک =±15V، T j =25 o C		374		ns
t r	یوکسلیش واختی			50		ns
t d (آفلای )	ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı			326		ns
t f	پاييز زاماني			204		ns
E açıq	چاليش Kənarlaşdırma Itirki			13.8		mJ
E آفلای	ایستیقلال Itirki			10.4		mJ
t d (açıq )	تورن-توقتیش واختی	V CC =600V،I C =200A, R G =0.75Ω,V ژئروژنیک =±15V، T j = 125o C		419		ns
t r	یوکسلیش واختی			63		ns
t d (آفلای )	ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı			383		ns
t f	پاييز زاماني			218		ns
E açıq	چاليش Kənarlaşdırma Itirki			20.8		mJ
E آفلای	ایستیقلال Itirki			11.9		mJ
t d (açıq )	تورن-توقتیش واختی	V CC =600V،I C =200A, R G =0.75Ω,V ژئروژنیک =±15V، T j = 150o C		419		ns
t r	یوکسلیش واختی			65		ns
t d (آفلای )	ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı			388		ns
t f	پاييز زاماني			222		ns
E açıq	چاليش Kənarlaşdırma Itirki			22.9		mJ
E آفلای	ایستیقلال Itirki			11.9		mJ

دیود Xarakteristikalar T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول	Parametr	یازیقلار	Min.	تایپ.	Maks.	Vahid
V F	دیود جلو Gərginlik	I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T j =25 o C		1.90	2.35	V
		I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T j = 125o C		1.90
		I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T j = 150o C		1.90
Q r	آلدیغی باج	V R =600V،I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T j =25 o C		10.2		μC
I RM	اوجون آرتیق یئنی دن یئرلشمه جریانی			90		A
E رئچ	عكس بازيافت Enerji			3.40		mJ
Q r	آلدیغی باج	V R =600V،I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T j = 125o C		26.2		μC
I RM	اوجون آرتیق یئنی دن یئرلشمه جریانی			132		A
E رئچ	عكس بازيافت Enerji			9.75		mJ
Q r	آلدیغی باج	V R =600V،I F =200A, -di/dt=3200A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T j = 150o C		30.4		μC
I RM	اوجون آرتیق یئنی دن یئرلشمه جریانی			142		A
E رئچ	عكس بازيافت Enerji			11.3		mJ

Modul Xüsusiyyətləri T C =25 o C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول	Parametr	Min.	تایپ.	Maks.	Vahid
L CE	یولدان چیخما ایندوکتانس			26	nH
R CC+EE	ماژول رهبري مقاومت ترمینال چیپ		0.62		mΩ
R thJC	گئنیشلیک (IGB) T) گئچمه (د) یود)			0.142 0.202	K/W
R thCH	قاب-تا-تزنج (هر IGBT) ایشاره-دَییشدیر: دیود) Kasa-İstilik Sinkinə (hər M بوغاز)		0.157 0.223 0.046		K/W
M	ترمینال اتصال تورک مچرو M5 تورک مونتاژ مچرو M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Çəki of Modul		200		g