IGBT Modulu 1200V

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

309

200

A

I SM

İmzası Qalınlaşdırma Cari t p =1ms

400

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق =175 O C

1006

W

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V RRM

تکرارلانان اوجون قارشی لیق ولتاژ

1200

V

I F

دیود دواملی ایلک قیر اجاره

200

A

I Fm

Diod Maksimal İravi Cari t p =1ms

400

A

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

T jmax

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

O C

T جوپ

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

O C

T STG

yaddaş temperaturu Məsafə

-40 تا +125

O C

V ISO

İzolyasiya Gərginliyi RMS,f=50Hz,t=1 Min

2500

V

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه

شورولوش ولتاژ

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =25 O C

1.70

2.15

V

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =125 O C

1.95

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T J =150 O C

2.00

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =5.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T J =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای

Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V،

T J =25 O C

1.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T J =25 O C

400

NA

R گئنت

داخلي قاپي مقاومتي آلانس

4.0

Ω

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g = 1. 1Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J =25 O C

150

ns

T R

یوکسلیش واختی

32

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

330

ns

T F

پاييز زاماني

93

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

11.2

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

11.3

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g = 1. 1Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 125O C

161

ns

T R

یوکسلیش واختی

37

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

412

ns

T F

پاييز زاماني

165

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

19.8

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

17.0

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g = 1. 1Ω,V ژئروژنیک =±15V، T J = 150O C

161

ns

T R

یوکسلیش واختی

43

ns

T D (آفلای )

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

433

ns

T F

پاييز زاماني

185

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma

Itirki

21.9

mJ

E آفلای

ایستیقلال

Itirki

19.1

mJ

I SC

SC Data (داتا)

T p ≤10μs،V ژئروژنیک =15V،

T J =150 O C,V CC =900V، V CEM ≤1200V

800

A

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V F

دیود جلو

Gərginlik

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T J =25 O C

1.65

2.10

V

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T J = 125O C

1.65

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T J = 150O C

1.65

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J =25 O C

17.6

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

228

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

7.7

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J =125 O C

31.8

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

238

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

13.8

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ژئروژنیک =- 15 ولت T J =150 O C

36.6

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

247

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

15.2

mJ

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

R 25

نومره لی مقاومت

5.0

kΩ

ΔR/R

انحراف of R 100

T C = 100 O C،R 100=493.3Ω

-5

5

%

p 25

Güc

dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-قیمت

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

L CE

یولدان چیخما ایندوکتانس

21

nH

R CC+EE

Modul baş müqaviməti e, TerminalChip

1.80

mΩ

R thJC

گئنیشلیک (IGB) T)

گئچمه (د) یود)

0.149

0.206

K/W

R thCH

قاب-تا-تزنج (هر IGBT)

ایشاره-دَییشدیر: دیود)

Kasa-İstilik Sinkinə (hər M بوغاز)

0.031

0.043

0.009

K/W

m

قایناغی:M6

3.0

6.0

N.M

g

Çəki of Modul

300

g