Bütün kateqoriyalar

IGBT Modulu 1200V

IGBT Modulu 1200V

baş səhifə /  Məhsullar /  IGBT ماژول /  IGBT Modulu 1200V

GD200CEX120C8SN,IGBT Modulu,STARPOWER

1200V 200A, Paket:C8

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200CEX120C8SN
  • Tanışdırma
  • Kontur
  • Ekvivalent Dairə Şeması
Tanışdırma

Qısa giriş

IGBT ماژول ,istehsal edən STARPOWER . 1200V 200A.

Xüsusiyyətlər

  • آز VCE (sat) Trench IGBT تکنولوژی
  • 10μs قیسا دایره قابیلیتی
  • VCE ((sat) + درجه حرارت کوفیسئتی
  • Maksimum qoşma temperaturu 175 °C
  • آز ایندوکتانسلی قاب
  • سرعتلی و نرم رئورس ریکوری (FWD)
  • DBC تکنولوژئسی ایله ایزولاسیون ائدیلن بورونج اساس صفحه

تطبيقات نموذجي

  • موتور حرکت اوچون اینورتر
  • AC و DC سروپروپریو تقویت کننده
  • Mənfiyyatsız Təminatlı Enerji Taminatı

مطلق maksimum درجه بندي T F =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

IGBT

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V CES

کلکتور-ایمیتر ولتاژ

1200

V

V GES

گئچمه-پریشان ولتاژ

±20

V

I C

Kolektor Cari @ T C =25 O C @ T C =100 O C

363

200

A

I CRM

تکرار Zirvə کلکسیونر Cürrent tp müəyyən tərəfindən T vjop

400

A

p D

اعظمي گوٴرچولوق vj =175 O C

1293

W

دیود

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

V RRM

تکرارلانان اوجون رئورس ولت یاش

1200

V

I F

Diod Sürdüklü İlgili Curr ent

200

A

I FRM

تکرار Zirvə İrəliləyən Cürrent tp müəyyən tərəfindən T vjop

400

A

Modul

سیمبول

Təsvir

ارزشه

Birlik

T vjmax

اوْلان یئرین ان چوخ سویه سی

175

O C

T vjop

یئرین ایشله مه درجه سی

-40 تا +150

O C

T STG

Qoruş Temperatur Diapazonu

-40 تا +125

O C

V ISO

İzolyasiya Voltajı RMS, f=50Hz,t =1 دقیقه

2500

V

IGBT Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

V CE ((sat)

جمع ائدن دن صادر ائدنه شورولوش ولتاژ

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T vj =125 O C

2.00

I C =200A,V ژئروژنیک =15V، T vj =150 O C

2.05

V ژئروژنیک (th )

گئچمیش-ایمیتر آستاناسی Gərginlik

I C =8.0 Ma ,V CE = V ژئروژنیک , T vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

کلکسیونر کس -آفلای Cürrent

V CE = V CES ,V ژئروژنیک =0V، T vj =25 O C

1.0

Ma

I GES

گئچمیش-ایمیتر لیک Cürrent

V ژئروژنیک = V GES ,V CE =0V، T vj =25 O C

400

NA

R گئنت

داخلي قاپي مقاومتي آلانس

1.0

Ω

C ies

ورگين قابليت

V CE =25V,f=1Mhz, V ژئروژنیک =0V

18.6

nF

C res

گئری یوللانما ظرفیت

0.52

nF

Q g

قاپی باج

V ژئروژنیک =-15 ...+15V

1.40

μC

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V ژئروژنیک =±15V, T vj =25 O C

140

ns

T R

یوکسلیش واختی

31

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

239

ns

T F

پاييز زاماني

188

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

11.2

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

13.4

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V ژئروژنیک =±15V, T vj =125 O C

146

ns

T R

یوکسلیش واختی

36

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

284

ns

T F

پاييز زاماني

284

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

19.4

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

18.9

mJ

T D (açıq )

تورن-توقتیش واختی

V CC =600V،I C =200A, R g =2.0Ω, Ls=50nH, V ژئروژنیک =±15V, T vj =150 O C

148

ns

T R

یوکسلیش واختی

37

ns

T d ((آف))

ایشیق چیخار Gecikmə vaxtı

294

ns

T F

پاييز زاماني

303

ns

E açıq

چاليش Kənarlaşdırma Itirki

21.7

mJ

E آفلای

ایستیقلال Itirki

19.8

mJ

I SC

SC Data (داتا)

T p ≤10μs V ژئروژنیک =15V،

T vj =150 O C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

دیود Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

یازیقلار

Min.

تایپ.

Maks.

Birliklər

V F

دیود جلو Gərginlik

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T vj =2 5O C

1.85

2.30

V

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T vj =125 O C

1.90

I F =200A,V ژئروژنیک =0V,T vj =150 O C

1.95

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V ژئروژنیک =-15V، T vj =25 O C

20.0

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

220

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

7.5

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V ژئروژنیک =-15V، T vj =125 O C

34.3

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

209

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

12.9

mJ

Q R

آلدیغی باج

V R =600V،I F =200A,

-di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V ژئروژنیک =-15V، T vj =150 O C

38.7

μC

I RM

اوجون آرتیق

یئنی دن یئرلشمه جریانی

204

A

E رئچ

عكس بازيافت Enerji

14.6

mJ

Modul Xarakteristikalar T C =25 O C مگر digər halda qeyd olunmuş

سیمبول

Parametr

Min.

تایپ.

Maks.

Birlik

R thJC

گئچمه -üçün -vəza (perIGBT ) گئنیشلیک (دَییشدیر) اوْد)

0.116 0.185

K/W

R thCH

قاب-تا-تزنج (هر IGBT) Kasa-İstilik Sinkinə (hər Diod üçün) Kasa-İstilik Sinkinə (hər M بوغاز)

0.150 0.239 0.046

K/W

m

ترمینال اتصال تورک مچرو M5 تورک مونتاژ مچرو M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

g

Çəki of Modul

200

g

Kontur

Ekvivalent Dairə Şeması

Pulsuz qiymət al

Tərəfdaşımız qısa vaxtda sizlə əlaqə yaradacaq.
Email
Name
Şirkət Adı
Mesaj
0/1000

Əlaqəli məhsul

هئچ بیر محصول حاقّیندا سوروشوموز وار؟

Peşəkar satış qrupumuz sizin məsləhətləşmənizi gözləyir.
محصول لاری نین لیستینی ایزله یه بیلرسینیز و سئودینیز هر سوالی سوروشا بیلرسینیز.

Qiymət al

Pulsuz qiymət al

Tərəfdaşımız qısa vaxtda sizlə əlaqə yaradacaq.
Email
Name
Şirkət Adı
Mesaj
0/1000