المفتاح المعلمات
|
vCES |
3300 v |
|
vسي اي(جلس) |
(النوع) 2.40 v |
|
أج |
(أكثر) 1000 أ |
|
أC(ر ر) |
(أكثر) 2000 أ |
التطبيقات النموذجية
التطبيقات النموذجية
أقصى تصنيف مطلق
|
(رمز) |
(المعلم) |
(ظروف الاختبار) |
(قيمة) |
(الوحدة) |
|
الـ VCES |
الجهد الكليّ - الإصدار |
VGE = 0V، TC= 25 °C |
3300 |
v |
|
VGES |
فولتاج جهاز البوابة |
TC= 25 °C |
± 20 |
v |
|
(أ) |
التيار الكليّ - الناشر |
TC = 95 °C |
1000 |
أ |
|
IC(PK) |
ذروة التيار في مجمع |
t P= 1ms |
2000 |
أ |
|
P max |
أقصى استنزاف طاقة الترانزستور |
Tvj = 150°C، TC = 25 °C |
10.4 |
كيلوواط |
|
1 2t |
ديود I2t |
VR =0V، t P = 10ms، Tvj = 150 °C |
320 |
kA2s |
|
فيزول |
فولتاج العزل لكل وحدة |
المواصلات المشتركة للصفحة الأساسية) AC RMS، 1 دقيقة، 50Hz، TC= 25 °C |
6000 |
v |
|
(ق) (د) |
إفراز جزئي لكل وحدة |
IEC1287. V 1 = 3500V، V 2 = 2600V، 50Hz RMS، TC= 25 °C |
10 |
ب.ك. |
الخصائص الكهربائية
|
(رمز) |
(المعلم) |
(ظروف الاختبار) |
(دقيقة) |
(النوع) |
(أكثر) |
(وحدة) |
|
|
I CES |
التيار القطع للكولكتور |
VGE = 0V، VCE = VCES |
|
|
1 |
أمي |
|
|
VGE = 0V، VCE = VCES ، TC= 125 ° C |
|
|
60 |
أمي |
|||
|
VGE = 0V، VCE = VCES ، TC= 150 ° C |
|
|
100 |
أمي |
|||
|
I GES |
تيار تسرب البوابة |
VGE = ±20V، VCE = 0V |
|
|
1 |
μA |
|
|
VGE (TH) |
الجهد الحدودي للبوابة |
I C= 80mA، VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
v |
|
|
VCE |
(*1) (sat) |
ملء الكولكتور والمنبع الجهد |
VGE= 15V، I C= 1000A |
|
2.40 |
2.90 |
v |
|
VGE= 15V، I C= 1000A، Tvj = 125 ° C |
|
2.95 |
3.40 |
v |
|||
|
VGE= 15V، I C= 1000A، Tvj = 150 ° C |
|
3.10 |
3.60 |
v |
|||
|
I F |
التيار الأمامي للديود |
dc |
|
1000 |
|
أ |
|
|
I FRM |
الحد الأقصى للتيار الأمامي للديود |
t P = 1ms |
|
2000 |
|
أ |
|
|
VF ((*1) |
الجهد الأمامي للديود |
I F= 1000A |
|
2.10 |
2.60 |
v |
|
|
I F= 1000A، Tvj= 125 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
I F= 1000A، Tvj= 150 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
v |
|||
|
C ies |
سعة الدخول |
VCE= 25V، VGE= 0V، f = 1MHz |
|
170 |
|
الـ NF |
|
|
Q g |
رسوم البوابة |
± 15 فولت |
|
17 |
|
ميكروسانتيرول |
|
|
C res |
سعة نقل العكسية |
VCE= 25V، VGE= 0V، f = 1MHz |
|
4 |
|
الـ NF |
|
|
L M |
محاثة الوحدة |
|
|
15 |
|
. |
|
|
R INT |
المقاومة الداخلية للمترانزستور |
|
|
165 |
|
μΩ |
|
|
I SC |
تيار الدائرة القصيرة، ISC |
Tvj = 150° C، VCC = 2500V، VGE≤15V، tp≤10μs، VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt، IEC 6074-9 |
|
3900 |
|
أ |
|
|
(أو (أو (أو |
وقت تأخير التوقف |
أنا C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
1800 |
|
NS |
|
t t |
وقت الخريف |
|
530 |
|
NS |
|
|
E OFF |
خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل |
|
1600 |
|
الـ |
|
|
(تد)) |
وقت تأخير التشغيل |
|
680 |
|
NS |
|
|
t r |
وقت الارتفاع |
|
320 |
|
NS |
|
|
إيون |
خسارة الطاقة عند تشغيل |
|
1240 |
|
الـ |
|
|
Q rr |
شحن استعادة الديود العكسي |
أنا F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us |
|
780 |
|
ميكروسانتيرول |
|
أ |
التيار العكسي للاسترداد للديود |
|
810 |
|
أ |
|
|
E rec |
طاقة استعادة الديود العكسية |
|
980 |
|
الـ |
|
|
(أو (أو (أو |
وقت تأخير التوقف |
أنا C =1000A VCE = 1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω |
|
1940 |
|
NS |
|
t t |
وقت الخريف |
|
580 |
|
NS |
|
|
E OFF |
خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل |
|
1950 |
|
الـ |
|
|
(تد)) |
وقت تأخير التشغيل |
|
660 |
|
NS |
|
|
t r |
وقت الارتفاع |
|
340 |
|
NS |
|
|
إيون |
خسارة الطاقة عند تشغيل |
|
1600 |
|
الـ |
|
|
Q rr |
شحن استعادة الديود العكسي |
أنا F =1000A VCE = 1800V diF/dt =3300A/us |
|
1200 |
|
ميكروسانتيرول |
|
أ |
التيار العكسي للاسترداد للديود |
|
930 |
|
أ |
فريق المبيعات المحترف ينتظر استشاراتك
يمكنك متابعة قائمة منتجاتهم و طرح أي أسئلة تهمك
EN
