1700 فولت

(رمز)

(المعلم)

(ظروف الاختبار)

(قيمة)

(وحدة)

الـ VCES

الجهد الكليّ - الإصدار

V GE = 0V ، TC = 25‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬ج

1700

v

V GES

فولتاج جهاز البوابة

TC= 25‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬ج

± 20

v

(أ)

التيار الكليّ - الناشر

TC  = 80‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬ج

800

أ

I C ((PK)

ذروة التيار في مجمع

t P=1ms

1600

أ

P max

أقصى استنزاف طاقة الترانزستور

Tvj = 150‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬C، TC = 25‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬ج

6.94

كيلوواط

1 2t

الديود I 2t

VR = 0V ، t P = 10ms ، Tvj = 125‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬ج

120

kA2s

فيزول

فولتاج العزل لكل وحدة

(المحطات المشتركة للصفحة الأساسية)

RMS AC، 1 دقيقة، 50 هرتز، TC= 25‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬ج

4000

v

(ق) (د)

إفراز جزئي لكل وحدة

الـ (IEC1287) V 1 = 1800V ، V2 = 1300V ، 50Hz RMS ، TC = 25‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬ج

10

ب.ك.

(الرمز)

 (المعلم)

(ظروف الاختبار)

(دقيقة)

(نوع)

(ماكس)

(الوحدة)

I CES

التيار القطع للكولكتور

V GE = 0V,VCE  = VCES

1

أمي

V GE = 0V, VCE  = VCES , TC=125 ° C

25

أمي

I GES

تيار تسرب البوابة

V GE = ±20V، VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

الجهد الحدودي للبوابة

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

v

VCE (sat)(*1)

جهد تشبع المجمع-المصدر

V GE =15V, I C  = 800A

2.30

2.60

v

V GE =15V, I C  = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

v

I F

التيار الأمامي للديود

تيار مستمرdc

800

أ

I FRM

الحد الأقصى للتيار الأمامي للديود

t P = 1ms

1600

أ

VF ((*1)

الجهد الأمامي للديود

I F = 800A

1.70

2.00

v

I F = 800A, Tvj  = 125 ° C

1.80

2.10

v

C ies

سعة الدخول

VCE = 25V، V GE = 0V، f = 1MHz

60

الـ NF

Q g

رسوم البوابة

± 15 فولت

9

ميكروسانتيرول

C res

سعة نقل العكسية

VCE = 25V، V GE = 0V، f = 1MHz

- لا ، لا

الـ NF

L M

محاثة الوحدة

20

.

R INT

المقاومة الداخلية للمترانزستور

270

μΩ

I SC

تيار الدائرة القصيرة، ISC

Tvj = 125° C, VCC  = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

أ

(أو (أو (أو

وقت تأخير التوقف

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

NS

t t

وقت الخريف

220

NS

E OFF

خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل

220

الـ

(تد))

وقت تأخير التشغيل

320

NS

t r

وقت الارتفاع

190

NS

إيون

خسارة الطاقة عند تشغيل

160

الـ

Q rr

شحن استعادة الديود العكسي

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

ميكروسانتيرول

أ

التيار العكسي للاسترداد للديود

510

أ

E rec

طاقة استعادة الديود العكسية

180

الـ

(أو (أو (أو

وقت تأخير التوقف

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

NS

t t

وقت الخريف

280

NS

E OFF

خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل

290

الـ

(تد))

وقت تأخير التشغيل

400

NS

t r

وقت الارتفاع

250

NS

إيون

خسارة الطاقة عند تشغيل

230

الـ

Q rr

شحن استعادة الديود العكسي

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

ميكروسانتيرول

أ

التيار العكسي للاسترداد للديود

580

أ

E rec

طاقة استعادة الديود العكسية

280

الـ