YMIBD500-33,وحدة IGBT,IGBT مفتاح مزدوج,CRRC

(رمز)

(المعلم)

(ظروف الاختبار)

(القيمة)

(وحدة)

الـ VCES

الجهد الكليّ - الإصدار

V GE = 0V،Tvj = 25 درجة مئوية

3300

الخامس

V GES

فولتاج جهاز البوابة

± 20

الخامس

(أ)

التيار الكليّ - الناشر

حالة T = 100 °C ، Tvj = 150 °C

500

أ

I C ((PK)

ذروة التيار في مجمع

1 مللي ثانية، درجة حرارة الحالة = 140 °م

1000

أ

P max

أقصى استنزاف طاقة الترانزستور

Tvj = 150 °C، T حالة = 25 °C

5.2

كيلو واط

1 2t

الديود

VR =0V، t P = 10ms، Tvj = 150 °C

80

kA2s

فيزول

فولتاج العزل لكل وحدة

الأطراف المشتركة إلى لوحة القاعدة)،

معدل التردد المتردد، دقيقة واحدة، 50 هرتز

6000

الخامس

(ق) (د)

إفراز جزئي لكل وحدة

الـ (IEC1287) V 1 = 3500 فولت، V2 = 2600 فولت، 50 هرتز RMS، TC = 25 °C

10

pC

ت حالة = 25 درجة ج ت حالة = 25 درجة ج ما لم ذكر خلاف ذلك

(الرمز )

(المعلم)

(ظروف الاختبار)

(دقيقة )

(نوع )

(ماكس )

(وحدة )

أنا CES

التيار القطع للكولكتور

الخامس جنرال = 0V، الخامس CE = الخامس CES

1

م.أ.

الخامس جنرال = 0V، الخامس CE = الخامس CES , ت حالة = 125 درجة مئوية

30

م.أ.

الخامس جنرال = 0V، الخامس CE = الخامس CES , ت حالة =150 °C

50

م.أ.

أنا GES

تسرب البوابة تيار

الخامس جنرال = ± 20 فولت الخامس CE = 0 فولت

1

μA

الخامس جنرال (TH)

الجهد الحدودي للبوابة

أنا ج = 40 م.أ. , الخامس جنرال = الخامس CE

5.50

6.10

7.00

الخامس

الخامس CE (جلس )*1)

ملء الكولكتور والمنبع الجهد

الخامس جنرال =15 فولت أنا ج = 500A

2.40

2.90

الخامس

الخامس جنرال =15 فولت أنا ج = 500A، ت vj = 125 °C

2.95

3.40

الخامس

الخامس جنرال =15 فولت أنا ج = 500A، ت vj = 150 °C

3.10

3.60

الخامس

أنا ف

التيار الأمامي للديود

تيار مستمر

500

أ

أنا الـ FRM

أقصى قدر من الديود إلى الأمام تيار

ت فوسفور = 1 مللي ثانية

1000

أ

الخامس ف *1)

الجهد الأمامي للديود

أنا ف = 500A

2.10

2.60

الخامس

أنا ف = 500A، ت vj = 125 °C

2.25

2.70

الخامس

أنا ف = 500A، ت vj = 150 °C

2.25

2.70

الخامس

ج يس

سعة الدخول

الخامس CE = 25 فولت الخامس جنرال = 0V، ف = 1MHz

90

الـ NF

ق g

رسوم البوابة

± 15 فولت

9

ميكروسانتيرول

ج ريس

القدرة على نقل العكسية إقتباس

الخامس CE = 25 فولت الخامس جنرال = 0V، ف = 1MHz

2

الـ NF

ل م

وحدة الحث

25

nH

ر INT

المقاومة الداخلية للمترانزستور

310

μΩ

أنا SC

قصر دائرة التيار أنا SC

ت vj = 150 درجة مئوية الخامس سي سي = 2500 فولت الخامس جنرال ≤ 15 فولت ت فوسفور ≤ 10μs

الخامس CE (ماكس ) = الخامس CES – ل *2) × دي /dt ,IEC 6074-9

1800

أ

(أو (أو (أو

وقت تأخير التوقف

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

nS

t t

وقت الخريف

520

nS

E OFF

خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل

780

ملي جول

(تد))

وقت تأخير التشغيل

650

nS

t

وقت الارتفاع

260

nS

إيون

خسارة الطاقة عند تشغيل

730

ملي جول

قصر

شحن استعادة الديود العكسي

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt = 2100A/us

390

ميكروسانتيرول

أ

التيار العكسي للاسترداد للديود

420

أ

إريك

طاقة استعادة الديود العكسية

480

ملي جول

(رمز)

(المعلم)

(ظروف الاختبار)

(الحد الأدنى)

(النوع)

(الحد الأقصى)

(وحدة)

(أو (أو (أو

وقت تأخير التوقف

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

nS

t t

وقت الخريف

550

nS

E OFF

خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل

900

ملي جول

(تد))

وقت تأخير التشغيل

630

nS

t

وقت التحسن وقت الارتفاع

280

nS

إيون

خسارة الطاقة عند تشغيل

880

ملي جول

قصر

شحن استعادة الديود العكسي

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt = 2100A/us

620

ميكروسانتيرول

أ

التيار العكسي للاسترداد للديود

460

أ

إريك

طاقة استعادة الديود العكسية

760

ملي جول

(رمز)

(المعلم)

(ظروف الاختبار)

(الحد الأدنى)

(النوع)

(الحد الأقصى)

(وحدة)

(أو (أو (أو

وقت تأخير التوقف

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

nS

t t

وقت الخريف

560

nS

E OFF

خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل

1020

ملي جول

(تد))

وقت تأخير التشغيل

620

nS

t

وقت الارتفاع

280

nS

إيون

خسارة الطاقة عند تشغيل

930

ملي جول

قصر

شحن استعادة الديود العكسي

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt = 2100A/us

720

ميكروسانتيرول

أ

التيار العكسي للاسترداد للديود

490

أ

إريك

طاقة استعادة الديود العكسية

900

ملي جول