ثيريستور التحكم الثنائي الاتجاه

(IT))

750

VDRM، VRRM

500 فولت800V

1000V- لا1200 فولت

1400 فولت 1600 فولت

1800

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj(°C)

القيمة

الوحدة

دقيقة

نوع

ماكس

IT ((RMS)

تيار RMS

موجة الجيب 50 هرتز

تبريد مزدوج الجوانب،

TC=55°C

125

1060

أ

TC=85‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬ج

125

750

VDRM

التوتر العكسي المتكرر

VDRM tp=10ms

VDSM = VDRM + 100 فولت

125

500

1800

v

IDRM

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM

125

40

أمي

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

10ms نصف موجة جيبية VR=0.6VRRM

125

7.6

ك

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

288

A2s*103

VTO

الجهد الحدودي

125

0.84

v

ر ر

مقاومة ميل الحالة النشطة

1.01

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=900A، F=15kN

25

2.70

v

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=0.67VDRM

125

50

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

VDM= 67%VDRM إلى 1000A،

نبضات البوابة tr ≤ 0.5μs IGM=1.5A متكررة

125

50

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

20

300

أمي

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

v

IH

تيار الاحتفاظ

20

300

أمي

ال

تيار التثبيت

500

أمي

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.3

v

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

قوة التشغيل المبردة من جانبين 15kN

0.035

‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬C /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

0.008

فم

قوة التركيب

10

20

ك

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬ج

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

140

‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬‬ج

wt

الوزن

240

g

الخطوط العريضة

KT33cT