وحدة IGBT 1700V

الرمز

المعلم

ظروف الاختبار

القيمة

 وحدة

الـ VCES

الجهد الكليّ - الإصدار

VGE = 0V، TC= 25 °C

1700

v

VGES

فولتاج جهاز البوابة

TC= 25 °C

± 20

v

أ

التيار الكليّ - الناشر

TC = 65 °C

1400

أ

IC(PK)

ذروة تيار المجمع

ذروة التيار في مجمع

tp=1ms

2800

أ

Pmax

أقصى استنزاف طاقة الترانزستور

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

كيلوواط

I2t

ديود I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

فيزول

جهد العزل - لكل وحدة

الأطراف المشتركة إلى قاعدة اللوحة)، AC RMS,1 دقيقة, 50Hz, TC= 25 °C

4000

v

الرمز

المعلم

ظروف الاختبار

دقيقة

Typ.

-ماكس

 وحدة

المياه

التيار القطع للكولكتور

VGE = 0V,VCE = VCES

1

أمي

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

20

أمي

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

30

أمي

الـ IGES

تيار تسرب البوابة

VGE = ±20V, VCE = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

الجهد الحدودي للبوابة

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

VCE (sat)(*1)

ملء الكولكتور والمنبع الجهد

VGE =15V, IC = 1400A

2.00

2.40

v

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

v

VGE =15V, IC = 1400A, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

v

لو

التيار الأمامي للديود

dc

1400

أ

إيف آر إم

ذروة تيار الدايود الأمامي

tp = 1ms

2800

أ

VF ((*1)

الجهد الأمامي للديود

IF = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

v

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

v

IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

v

إسك

التيار الدائري

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

أ

(سيس)

إدخال الكهرباء

سعة الدخول

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

113

الـ NF

ق.غ

رسوم البوابة

± 15 فولت

11.7

ميكروسانتيرول

كريس

سعة نقل العكسية

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

3.1

الـ NF

أنا

محاثة الوحدة

10

.

RINT

المقاومة الداخلية للمترانزستور

0.2

mΩ

(أو (أو (أو

وقت تأخير التوقف

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V,   RG(OFF) = 1.8Ω , LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

NS

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

tf

-تراجعوقت الخريف

Tvj= 25 °C

460

NS

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

إيف

خسارة الطاقة عند إيقاف التشغيل

Tvj= 25 °C

460

الـ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

(تد))

وقت تأخير التشغيل

IC =1400A,

VCE = 900V,

VGE = ±15V,  RG(ON) = 1.2Ω , LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

NS

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

t

وقت الارتفاع

Tvj= 25 °C

112

NS

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

إيون

خسارة الطاقة عند تشغيل

Tvj= 25 °C

480

الـ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

قصر

 دايود عكسي

رسوم الاسترداد

IF =1400A,   VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

ميكروسانتيرول

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

 دايود عكسي

تيار الاسترداد

Tvj= 25 °C

790

أ

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

إريك

 دايود عكسي

طاقة الاسترداد

Tvj= 25 °C

190

الـ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290