MTx800 MFx800 MT800، وحدات الثريستور/الديود، تبريد بالهواء

VRRM,VDRM

النوع والمخطط

600 فولت

MTx800-06-410F3

MFx800-06-410F3

800 فولت

MTx800-08-410F3

MFx800-08-410F3

1000V

MTx800-10-410F3

MFx800-10-410F3

1200 فولت

MTx800-12-410F3

MFx800-12-410F3

1400V

MTx800-14-410F3

MFx800-14-410F3

1800V

MTx800-16-410F3

MFx800-16-410F3

1800V

MTx800-18-410F3

MFx800-18-410F3

1800V

MT800-18-410F3G

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃ )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180درجة نصف موجة الصين 50 هرتز

تبريد جانب واحد، TC=70 ℃

125

800

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

1256

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

45

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

VR=60٪ VRRM، t=10ms نصف الصدر،

125

22.0

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

125

2420

103A2s

VTO

الجهد الحدودي

125

0.80

الخامس

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

0.24

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=2400A

25

1.68

الخامس

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

200

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

30

200

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

3.0

الخامس

IH

تيار الاحتفاظ

10

200

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1500

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.20

الخامس

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.048

℃ )/W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

تبريد من جانب واحد لكل شريحة

0.020

℃ )/W

فيزو

فولتاج العزل

50Hz، R.M.S، t=1min، Iiso:1mA (كحد أقصى)

3000

الخامس

فم

عزم الدوران للاتصال بالجهاز الرئيسي ((M12)

12.0

16.0

ن·م

عزم الدوران التثبيت ((M8)

10.0

12.0

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃ )

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃ )

و

الوزن

3310

g

المخطط

410F3