MTG200،MTY200،وحدات التايريستور ((نوع غير معزول) ،TECHSEM

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃ )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180درجة نصف موجة الصين 50 هرتز

تبريد جانب واحد، TC=90 ℃

125

200

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

314

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

20

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

VR=60٪ VRRM، t=10ms نصف الصدر

125

5.2

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

125

135

10³أ ²س

VTO

الجهد الحدودي

125

0.80

الخامس

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

1.15

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=600A

25

1.62

الخامس

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

100

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA=12V، IA=1A

25

30

150

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.8

2.5

الخامس

IH

تيار الاحتفاظ

10

180

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.2

الخامس

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

عند 180 。الجانب الواحد المبرد لكل شريحة

0.13

℃ /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

عند 180 درجة الجانب الواحد المبرد لكل شريحة

0.10

℃ /W

فم

عزم ربط الطرف (M6)

4.5

6.0

ن·م

عزم التركيب (M6)

4.5

6.0

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃

و

الوزن

280

g

المخطط

213F4