وحدة الثايرستور/المقوم الخاصة باللحام

الرمز

الخصائص

ظروف الاختبار

Tj( ℃ )

القيمة

وحدة

دقيقة

نوع

ماكس

(IT))

متوسط تيار الحالة النشطة

180درجة نصف موجة الصين 50 هرتز

تبريد من جانب واحد, Tc =85 ℃

125

26

أ

IT ((RMS)

تيار الحالة RMS

125

41

أ

Idrm Irrm

تيار الذروة المتكرر

عند VDRM عند VRRM

125

15

م.أ.

ITSM

تيار الحالة النشطة المفاجئ

10ms نصف موجة جيبية VR=60%VRRM

125

1.6

kA

I2t

I2t لتنسيق الفيوز

12.8

10³أ ²س

VTO

الجهد الحدودي

125

0.75

V

rT

مقاومة ميل الحالة النشطة

7.68

mΩ

VTM

جهد الذروة في الحالة النشطة

ITM=80A

25

1.55

V

dv/dt

معدل الزيادة الحرجة لجهد الإيقاف

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

معدل الحرج لارتفاع التيار الحالي

مصدر البوابة 1.5A

tr ≤0.5μs متكرر

125

200

A/μs

إيه جي تي

تيار تحفيز البوابة

VA= 12V، IA= 1A

25

30

200

م.أ.

Vgt

جهد تحفيز البوابة

0.6

2.5

V

IH

تيار الاحتفاظ

10

250

م.أ.

إيل

تيار التثبيت

1000

م.أ.

VGD

جهد البوابة غير المحفز

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

المقاومة الحرارية من الوصلة إلى العلبة

تبريد من جانب واحد، لكل شريحة

0.90

℃ /W

Rth(c-h)

مقاومة حرارية من العلبة إلى المبرد

تبريد من جانب واحد، لكل شريحة

0.15

℃ /W

فيزو

فولتاج العزل

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

فم

عزم الربط الحراري(M5)

2.5

4.0

ن·م

عزم التركيب (M6)

4.5

6.0

ن·م

تيفي

درجة حرارة الوصلة

-40

125

℃

TSTG

درجة حرارة التخزين

-40

125

℃

و

الوزن

100

g

المخطط

224H3 、224H3B